mgr Piotr Caban
"Wytwarzanie heterostruktur półprzewodnikowych AlGaN/GaN/SiC metodą epitaksji z fazy gazowej na potrzeby konstrukcji tranzystorów z dwuwymiarowym gazem elektronowym (HEMT)"
prof. dr hab. inż. Jan Szmidt
Obrona doktorska
10.01.2012 11:00
sala 116
Powered by
eZ Publish™ CMS Open Source Web Content Management
. Copyright © 1999-2012
eZ Systems AS
(except where otherwise noted). All rights reserved.