mgr inż. Andrzeja Taube

Opracowanie wybranych elementów konstrukcji tranzystorów HEMT AlGaN/GaN do zastosowań w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur
prof. dr hab. inż. Jan Szmidt, Politechnika Warszawska
Obrona doktorska
27.03.2018 12:00
s. 116, Gmach Elektroniki
Pobierz plik (pdf, 4,86 MB)
Powered by eZ Publish™ CMS Open Source Web Content Management. Copyright © 1999-2012 eZ Systems AS (except where otherwise noted). All rights reserved.