InTechFun - Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

Kierownik:
E-mail:
Tel.:
Fax:
Data rozpoczęcia:
Data zakończenia:
prof. dr hab. Jan Szmidt - IMiO PW, Wojciech Gwarek - IRE PW
j.szmidt@elka.pw.edu.plw.gwarek@elka.pw.edu.pl
+48 22 234 77 76
+48 22 628 87 40
2008-09-01
2013-12-31

Koordynator projektu: Instytut Technologii Elektronowej

Partnerzy:

  • Instytut Technologii Elektronowej, koordynator projektu
  • Instytut Fizyki PAN
  • Politechnika Śląska
  • Politechnika Łódzka
  • Wojskowa Akademia Techniczna

Cel projektu: Nadrzędnymi celami Projektu jest budowa społeczeństwa opartego na wiedzy, stymulacja wzrostu gospodarczego oraz zapewnienie zrównoważonego rozwoju społecznego. Projekt będzie realizować te cele poprzez prowadzenie prac B+R w strategicznej dziedzinie zaawansowanych technologii elektronicznych, optoelektronicznych, fotonicznych i technik sensorowych ukierunkowując działania na obszary mające duży wpływ na szybki i ciągły rozwój cywilizacyjno-gospodarczy kraju oraz rozwój polskiej gospodarki w oparciu o nowe innowacyjne przedsiębiorstwa. Zasadniczym kierunkiem badawczym podejmowanym w ramach Projektu jest opracowanie innowacyjnych rozwiązań technologicznych i konstrukcyjnych umożliwiających realizację nowych przyrządów półprzewodnikowych wytwarzanych w oparciu o półprzewodniki szerokoprzerwowe, ze szczególnym uwzględnieniem struktur, w których elementy czynne wykorzystywać będą najbardziej perspektywiczne układy materiałowe ZnO i półprzewodniki pokrewne, w tym domieszkowane jonami magnetycznymi, GaN i materiały pokrewne, w tym domieszkowane jonami magnetycznymi oraz SiC. Funkcjonalne struktury cienkowarstwowe pełniące rolę kontaktów omowych, kontaktów prostujących, metalizacji, dielektryków bramkowych oraz warstw pasywacyjnych wytwarzane będą w oparciu o cztery grupy materiałowe: stabilne termicznie tlenki, azotki, węgliki i borki.W centrum projektu będą indywidualne procesy technologiczne wytwarzania i kształtowania cienkowarstwowych struktur półprzewodnikowych, metalicznych i dielektrycznych, opracowywane w postaci uniwersalnych modułów technologicznych, a następnie integrowane w pełny cykl technologiczny wytwarzania struktur przyrządowych, tak by w końcowym etapie projektu zademonstrować ich funkcjonalność w modelowych przyrządach elektronicznych i optoelektronicznych oraz wybranych sensorach. Projekt ten integrując kadrę naukową i zasoby materialne wiodących w tej dziedzinie zespołów badawczych z różnych sektorów nauki stawia sobie za zadanie stworzenie otwartej platformy technologicznej umożliwiającej realizację innowacyjnych prac B+R w obszarze nanoelektroniki, fotoniki i spintroniki z wykorzystaniem półprzewodników szerokoprzerwowych oraz stworzenia mechanizmów umożliwiających transfer opracowanych technologii do przedsiębiorstw przemysłowych, w szczególności z sektora Małych i średnich Przedsiębiorstw (MSP).

Oczekiwane rezultaty:

  • Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych tranzystora MOSFET SiC
  • Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych tranzystora HEMT AlGaN/GaN na podłożu Si
  • Wykonanie wieloparametrycznego klasyfikatora parametrów użytkowych biopaliw ciekłych.

Strona projektu: http://www.ite.waw.pl/intechfun/