NANOSIL - silicon-based nanostructures and nanodevice for long term nanoelectronics applications

Koordynator projektu: INPG Enterprise S.A. France

Partnerzy: Institut National Polytechnique de Grenoble, Fran­ce; The University of Warwick, United Kingdom; Rheinisch-Westfaelische Technische Hochschule Aachen, Germany; Kungliga Tekniska Hogskolan, Sweden; Consiglio Nazionale In­terunuiversitario per la Nanoelettronica, Italy; Universite Catho­lique de Louvain, Belgium; Interuniversitair Micro-Electronica Centrum VZW, Belgium; Commisariat a L`Energie Atomiue, Fran­ce; Stmicroelectronics Crolles 2 SAS, France; Institut Superieur D`Electronique et du Numerique, France; Universite Paris-Sud, France; Gesellschaft Fuer Angewandte Mikro- und Optoelektronik mit Beschrankter Haftung – AMO GmbH, Germany; Forschung­szentrum Juelich GmbH, Germany; Qimonda Dresden GmbH & Co.OHG, Germany; Technische Universitaet Braunschweig, Germany; Universitaet Stuttgart, Germany; National Centre for Scientific Research Demokritos, Greece, University College Cork – national University of Ireland, Cork, Ireland; Universidad Rovira i Virgili, Spain; Chalmers Tekniska Hoegskola Aktiebolag, Sweden; Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland; Eidge­noessische Technische Hochschule Zuerich, Switzerland; Synop­sys Switzerland LLC, Switzerland; The University og Glasgow, United Kingdom, University of Liverpool, United Kingdom; The University ogf Newcastle Upon Tyne, United Kingdom.

Cel projektu: Realizacja badań wyprzedzających potrzeby prze­mysłu dla n+4 generacji układów scalonych CMOS i nowych kon­cepcji konstrukcyjnych i technologicznych. Powołane konsorcjum posiada komplementarne kompetencje w zakresie modelowania, technologii oraz diagnostyki i charakteryzacji przyrządów pół­przewodnikowych i układów scalonych. W ramach badań testo­wane będą m.in.: nowe materiały na struktury bramkowe, kanały tranzystorów MOS o strukturze naturalnej (np. Si, Ge, węgiel – grafin) i naprężanej (np. SiGe), bariery Schottky’ego, jako złącza wstrzykujące nośniki. Opracowywane będą także nowe mode­le matematyczno-fizyczne funkcjonowania takich przyrządów lub ich funkcjonalnych fragmentów oraz takie, które pozwalać będą na poprawne wyznaczanie parametrów elektro-fizycznych struktur testowych z charakterystyk pomiarowych. Opracowy­wane będą także nowe i adaptowane stare – metody pomiarowe, w szczególności te, oparte na charakterystykach elektrycznych.

Oczekiwane rezultaty: Zdobyta wiedza, a przede wszystkim uzy­skane w trakcie projektu wyniki zostaną przekazane producen­tom układów scalonych w celu wykorzystania przy planowaniu badań nad niezbędnymi do wprowadzenia do produkcji w latach przyszłych zmianami w konstrukcji i technologii przyszłych ge­neracji układów scalonych.