Obszary badawcze zakładów IMiO
Spis artykułów
- Zakład Przyrządów Mikroelektroniki i Nanoelektroniki
- Zakład Metod Projektowania w Mikroelektronice
- Zakład Fotoniki Obrazowej i Mikrofalowej
- Zakład Technologii Mikrosystemów i Materiałów Elektronicznych
- Zakład Optoelektroniki
Zakład Przyrządów Mikroelektroniki i Nanoelektroniki
Badania prowadzone w Zakładzie dzielą się na trzy główne obszary: technologia, diagnostyka oraz modelowanie struktur półprzewodnikowych, jak również aplikacje mikroelektroniki w cyfrowym przetwarzaniu sygnałów.
Do przykładowych tematów prac badawczych należą:
- modelowanie i badania nad kinetyką utleniania krzemu (zwłaszcza w początkowych etapach tego procesu);
- diagnostyka i charakteryzacja właściwości pojedynczych i podwójnych warstw izolujących (stos bramkowy zawierający ultracienkie warstwy tlenku) na podstawie analizy pomiarów elektrycznych;
- procesy starzeniowe i degradacyjne w strukturach MOS (przebicie warstw elektrycznych; wpływ gorących nośników, uszkodzenia pod wpływem promieniowania);
- mechanizmy transportu i efekty kwantowe w strukturach MOS (tranzystor, dioda tunelowa) z ultracienkim tlenkiem;
- nowe materiały (półprzewodniki i dielektryki) dla mikroelektroniki (np. węglik krzemu, azotek galu, krzemogerman, german);
- badania teoretyczne nad fizyką struktury MOS-SOI (krzem na izolatorze) oraz Si:Ge (krzemogerman) - modelowanie działania przyrządu oraz modelowanie dla potrzeb charakteryzacji i diagnostyki;
- zjawiska i przyrządy nanoelektroniki (np. diody i tranzystory tunelowe i tunelowo-rezonansowe, dioda z blokadą Coulombowską, tranzystory jednoelektronowe, pamięci);
- osadzanie techniką PECVD ultracienkich warstw dielektrycznych dla dielektryka bramkowego tranzystora MOS (SiO2, Si3N4, SiOxNy);
- ultrapłytka implantacja z plazmy RF;
- obróbka struktur testowych bardzo niskich temperaturach;
- wytwarzanie ultracienkich warstw krzemu amorficznego techniką PECVD;
- wytwarzanie struktur i przyrządów z podwójną barierą;
- obróbka MEMS/MOEMS.